特性 | 符號 | 單位 | 測試條件 | CMZ10 | CMZ20 | CMZ30 | CMZ40 |
初始磁導(dǎo)率 | μi | 25℃ 10KHz <0.25mT | 1000±25% | 2000±25% | 3000±25% | 4000±25% | |
飽和磁通密度 | Bs | mT | 25℃ 1KHz 1194A/m | 425 | 410 | 390 | 290 |
100℃ 1KHz 1194A/m | 335 | 290 | 270 | 120 | |||
Br | mT | 25℃ 1KHz 1194A/m | 360 | 235 | 245 | 175 | |
100℃ 1KHz 1194A/m | 255 | 145 | 170 | 60 | |||
Hc | A/m | 25℃ 1KHz 1194A/m | 34 | 12 | 10 | 8 | |
100℃ 1KHz 1194A/m | 14 | 7 | 6 | 2 | |||
比損耗因數(shù) | tanδ/μi | x10-6 | 10KHz | <6 | <4 | <6 | <7 |
標(biāo)稱阻抗 | ZN | Ω/cm | 1MHz | 90 | 150 | 150 | 190 |
25MHz | 450 | 850 | 880 | 630 | |||
100MHz | 1100 | 1600 | 1510 | 1130 | |||
居里溫度 | Tc | ℃ | 10KHz <0.25mT | ≥190 | ≥145 | ≥130 | ≥100 |
密度 | d | g/cm3 | 25℃ | 4.9±0.1 | 4.9±0.1 | 4.9±0.1 | 4.9±0.1 |
